製造商產品編號:
IXTN21N100
Product Overview
製造商:
IXYS
零件編號:
IXTN21N100-DG
描述:
MOSFET N-CH 1000V 21A SOT227B
详细描述:
N-Channel 1000 V 21A (Tc) 520W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
庫存:
12818946
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IXTN21N100 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Littelfuse
包裝
-
系列
MegaMOS™
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
1000 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
21A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
550mOhm @ 500mA, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4.5V @ 500µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
250 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
8400 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
520W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Chassis Mount
供應商設備包
SOT-227B
包裝 / 外殼
SOT-227-4, miniBLOC
基本產品編號
IXTN21
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
10
其他名稱
IXTN21N100-NDR
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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