製造商產品編號:
IXTA6N100D2
Product Overview
製造商:
IXYS
零件編號:
IXTA6N100D2-DG
描述:
MOSFET N-CH 1000V 6A TO263
详细描述:
N-Channel 1000 V 6A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-263AA
庫存:
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IXTA6N100D2 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Littelfuse
包裝
Tube
系列
Depletion
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
1000 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
6A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.2Ohm @ 3A, 0V
Vgs（th） （最大值） @ Id
-
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
95 nC @ 5 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
2650 pF @ 25 V
FET 特性
Depletion Mode
功率耗散（最大值）
300W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
TO-263AA
包裝 / 外殼
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
基本產品編號
IXTA6
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
50
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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