IXTA2R4N120P
製造商產品編號:

IXTA2R4N120P

Product Overview

製造商:

IXYS

零件編號:

IXTA2R4N120P-DG

描述:

MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO263
详细描述:
N-Channel 1200 V 2.4A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263AA

庫存:

12819770
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IXTA2R4N120P 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
Littelfuse
包裝
Tube
系列
Polar
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
1200 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
2.4A (Tc)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
4.5V @ 250µA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±20V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
1207 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
125W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
TO-263AA
包裝 / 外殼
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
基本產品編號
IXTA2

資料表及文件

額外資訊

標準套餐
50

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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