IXFT20N100P
製造商產品編號:

IXFT20N100P

Product Overview

製造商:

IXYS

零件編號:

IXFT20N100P-DG

描述:

MOSFET N-CH 1000V 20A TO268
详细描述:
N-Channel 1000 V 20A (Tc) 660W (Tc) Surface Mount TO-268AA

庫存:

12908072
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IXFT20N100P 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
Littelfuse
包裝
Tube
系列
HiPerFET™, Polar
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
1000 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
20A (Tc)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
570mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
6.5V @ 1mA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
126 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±30V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
7300 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
660W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
TO-268AA
包裝 / 外殼
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
基本產品編號
IXFT20

資料表及文件

HTML 資料表
資料表
數據表

額外資訊

標準套餐
30

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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