IXFP130N10T
製造商產品編號:

IXFP130N10T

Product Overview

製造商:

IXYS

零件編號:

IXFP130N10T-DG

描述:

MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB
详细描述:
N-Channel 100 V 130A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-220-3

庫存:

12818928
請求報價
數量
最低限1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
提交

IXFP130N10T 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
Littelfuse
包裝
Tube
系列
HiPerFET™, Trench
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
100 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
130A (Tc)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.1mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
4.5V @ 1mA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
104 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±20V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
5080 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
360W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-220-3
包裝 / 外殼
TO-220-3
基本產品編號
IXFP130

資料表及文件

HTML 資料表
資料表
數據表

額外資訊

標準套餐
50

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
SUP70090E-GE3
製造商
Vishay Siliconix
可用數量
370
部件號碼
SUP70090E-GE3-DG
單位價格
1.27
替代類型
Similar
部件編號
IPP100N08N3GXKSA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
587
部件號碼
IPP100N08N3GXKSA1-DG
單位價格
1.00
替代類型
Similar
部件編號
SUP85N10-10-GE3
製造商
Vishay Siliconix
可用數量
504
部件號碼
SUP85N10-10-GE3-DG
單位價格
2.88
替代類型
Similar
部件編號
DMT10H010LCT
製造商
Diodes Incorporated
可用數量
43
部件號碼
DMT10H010LCT-DG
單位價格
0.64
替代類型
Similar
部件編號
CSD19533KCS
製造商
Texas Instruments
可用數量
2169
部件號碼
CSD19533KCS-DG
單位價格
0.67
替代類型
Similar
DIGI 認證
相關產品
littelfuse

MKE38RK600DFEL-TRR

MOSFET N-CH 600V 50A SMPD

littelfuse

IXFK100N10

MOSFET N-CH 100V 100A TO264AA

littelfuse

IXTX120P20T

MOSFET P-CH 200V 120A PLUS247-3

littelfuse

IXFX30N100Q2

MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS247-3