IXFN32N120
製造商產品編號:

IXFN32N120

Product Overview

製造商:

IXYS

零件編號:

IXFN32N120-DG

描述:

MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
详细描述:
N-Channel 1200 V 32A Chassis Mount SOT-227B

庫存:

12822267
請求報價
數量
最低限1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
提交

IXFN32N120 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
Littelfuse
包裝
Box
系列
HiPerFET™
產品狀態
Not For New Designs
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
1200 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
32A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
350mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
5V @ 8mA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
400 nC @ 10 V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
15900 pF @ 25 V
FET 特性
-
安裝類型
Chassis Mount
供應商設備包
SOT-227B
包裝 / 外殼
SOT-227-4, miniBLOC
基本產品編號
IXFN32

資料表及文件

HTML 資料表
資料表
數據表

額外資訊

標準套餐
10
其他名稱
Q7906213

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
IXFN32N120P
製造商
IXYS
可用數量
0
部件號碼
IXFN32N120P-DG
單位價格
53.23
替代類型
Similar
部件編號
APT21M100J
製造商
Microchip Technology
可用數量
0
部件號碼
APT21M100J-DG
單位價格
29.38
替代類型
Similar
DIGI 認證
相關產品
infineon-technologies

IRFR120Z

MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK

infineon-technologies

IRFZ44ES

MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK

nxp-semiconductors

NX2020P1X

NX2020P1X

infineon-technologies

IRFR2307ZPBF

MOSFET N-CH 75V 42A DPAK