製造商產品編號:
IXFM67N10
Product Overview
製造商:
IXYS
零件編號:
IXFM67N10-DG
描述:
MOSFET N-CH 100V 67A TO204AE
详细描述:
N-Channel 100 V 67A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-204AE
庫存:
12820901
請求報價
數量
最低限1
最低限1
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
我們會在24小時內回覆您
提交
IXFM67N10 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Littelfuse
包裝
-
系列
HiPerFET™
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
100 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
67A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 33.5A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 4mA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
260 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
4500 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
300W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-204AE
包裝 / 外殼
TO-204AE
基本產品編號
IXFM67
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
20
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
PSMN013-100PS,127
製造商
Nexperia USA Inc.
可用數量
3262
部件號碼
PSMN013-100PS,127-DG
單位價格
0.99
替代類型
Similar
DIGI 認證
相關產品
IXFN60N80P
MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B
IXTA8N65X2
MOSFET N-CH 650V 8A TO263
IXFH42N50P2
MOSFET N-CH 500V 42A TO247AD
