製造商產品編號:
IXFH80N65X2
Product Overview
製造商:
IXYS
零件編號:
IXFH80N65X2-DG
描述:
MOSFET N-CH 650V 80A TO247
详细描述:
N-Channel 650 V 80A (Tc) 890W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
庫存:
12821231
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IXFH80N65X2 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Littelfuse
包裝
Tube
系列
HiPerFET™, Ultra X2
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
650 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
80A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
40mOhm @ 40A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
5.5V @ 4mA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
143 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
8245 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
890W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-247 (IXTH)
包裝 / 外殼
TO-247-3
基本產品編號
IXFH80
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
30
其他名稱
IXFH80N65X2XINACTIVE
IXFH80N65X2X-DG
632463
IXFH80N65X2X
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
IPW60R045CPFKSA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
2367
部件號碼
IPW60R045CPFKSA1-DG
單位價格
11.45
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