SPI07N60S5HKSA1
製造商產品編號:

SPI07N60S5HKSA1

Product Overview

製造商:

Infineon Technologies

零件編號:

SPI07N60S5HKSA1-DG

描述:

MOSFET N-CH 600V 7.3A TO262-3
详细描述:
N-Channel 600 V 7.3A (Tc) 83W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1

庫存:

12806580
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SPI07N60S5HKSA1 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
Infineon Technologies
包裝
-
系列
CoolMOS™
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
600 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
7.3A (Tc)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
5.5V @ 350µA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±20V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
970 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
83W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
PG-TO262-3-1
包裝 / 外殼
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
基本產品編號
SPI07N

資料表及文件

額外資訊

標準套餐
50
其他名稱
SP000013025
SPI07N60S5IN-DG
SPI07N60S5IN
SPI07N60S5-DG
SP000680980
SPI07N60S5
SPI07N60S5X
SPI07N60S5XK

環境及出口分類

濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
FQI7N60TU
製造商
Fairchild Semiconductor
可用數量
1000
部件號碼
FQI7N60TU-DG
單位價格
1.32
替代類型
MFR Recommended
DIGI 認證
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