製造商產品編號:
SPI07N60S5HKSA1
Product Overview
製造商:
Infineon Technologies
零件編號:
SPI07N60S5HKSA1-DG
描述:
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO262-3
详细描述:
N-Channel 600 V 7.3A (Tc) 83W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
庫存:
12806580
請求報價
數量
最低限1
最低限1
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
我們會在24小時內回覆您
提交
SPI07N60S5HKSA1 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Infineon Technologies
包裝
-
系列
CoolMOS™
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
600 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
7.3A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
5.5V @ 350µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
970 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
83W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
PG-TO262-3-1
包裝 / 外殼
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
基本產品編號
SPI07N
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
50
其他名稱
SP000013025
SPI07N60S5IN-DG
SPI07N60S5IN
SPI07N60S5-DG
SP000680980
SPI07N60S5
SPI07N60S5X
SPI07N60S5XK
環境及出口分類
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
FQI7N60TU
製造商
Fairchild Semiconductor
可用數量
1000
部件號碼
FQI7N60TU-DG
單位價格
1.32
替代類型
MFR Recommended
DIGI 認證
相關產品
IRF8721GPBF
MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
IRL1104SPBF
MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK
IRLL2705TRPBF
MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
