SPB04N60S5ATMA1
製造商產品編號:

SPB04N60S5ATMA1

Product Overview

製造商:

Infineon Technologies

零件編號:

SPB04N60S5ATMA1-DG

描述:

MOSFET N-CH 600V 4.5A TO263-3
详细描述:
N-Channel 600 V 4.5A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2

庫存:

12807672
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SPB04N60S5ATMA1 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
Infineon Technologies
包裝
-
系列
CoolMOS™
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
600 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
4.5A (Tc)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
950mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
5.5V @ 200µA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
22.9 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±20V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
580 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
50W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
PG-TO263-3-2
包裝 / 外殼
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
基本產品編號
SPB04N

資料表及文件

HTML 資料表
資料表
數據表

額外資訊

標準套餐
1,000
其他名稱
SPB04N60S5INDKR
SPB04N60S5ATMA1TR
SPB04N60S5INTR
SPB04N60S5INDKR-DG
SPB04N60S5
2156-SPB04N60S5ATMA1-ITTR
SPB04N60S5INCT
INFINFSPB04N60S5ATMA1
SPB04N60S5XT
SPB04N60S5ATMA1DKR
SP000012364
SPB04N60S5INCT-DG
SPB04N60S5INTR-DG
SPB04N60S5-DG
SPB04N60S5ATMA1CT

環境及出口分類

濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
STB6N60M2
製造商
STMicroelectronics
可用數量
11994
部件號碼
STB6N60M2-DG
單位價格
0.57
替代類型
MFR Recommended
部件編號
R6004ENJTL
製造商
Rohm Semiconductor
可用數量
0
部件號碼
R6004ENJTL-DG
單位價格
0.49
替代類型
MFR Recommended
部件編號
STB10NK60ZT4
製造商
STMicroelectronics
可用數量
2899
部件號碼
STB10NK60ZT4-DG
單位價格
1.58
替代類型
MFR Recommended
部件編號
STB9NK80Z
製造商
STMicroelectronics
可用數量
0
部件號碼
STB9NK80Z-DG
單位價格
0.92
替代類型
Direct
部件編號
IRFBC40ASTRRPBF
製造商
Vishay Siliconix
可用數量
0
部件號碼
IRFBC40ASTRRPBF-DG
單位價格
1.92
替代類型
MFR Recommended
DIGI 認證
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