IRFSL4510PBF
製造商產品編號:

IRFSL4510PBF

Product Overview

製造商:

Infineon Technologies

零件編號:

IRFSL4510PBF-DG

描述:

MOSFET N-CH 100V 61A TO262
详细描述:
N-Channel 100 V 61A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-262

庫存:

12807486
請求報價
數量
最低限1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
提交

IRFSL4510PBF 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
Infineon Technologies
包裝
-
系列
HEXFET®
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
100 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
61A (Tc)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13.9mOhm @ 37A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
4V @ 100µA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
87 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±20V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
3180 pF @ 50 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
140W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-262
包裝 / 外殼
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

資料表及文件

額外資訊

標準套餐
1,000
其他名稱
2156-IRFSL4510PBF
SP001552374
IFEINFIRFSL4510PBF

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
相關產品
infineon-technologies

IRF3205SPBF

MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK

infineon-technologies

SI4410DYPBF

MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

infineon-technologies

IPW60R190P6FKSA1

MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3

infineon-technologies

SPP12N50C3HKSA1

MOSFET N-CH 560V 11.6A TO220-3