製造商產品編號:
IRFSL4010PBF
Product Overview
製造商:
Infineon Technologies
零件編號:
IRFSL4010PBF-DG
描述:
MOSFET N-CH 100V 180A TO262
详细描述:
N-Channel 100 V 180A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-262
庫存:
683 全新原裝現貨
12804231
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IRFSL4010PBF 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Infineon Technologies
包裝
Tube
系列
HEXFET®
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
100 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
180A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.7mOhm @ 106A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
215 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
9575 pF @ 50 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
375W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-262
包裝 / 外殼
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
基本產品編號
IRFSL4010
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
50
其他名稱
SP001567760
448-IRFSL4010PBF
IRFSL4010PBF-DG
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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