製造商產品編號:
IRFHM8363TR2PBF
Product Overview
製造商:
Infineon Technologies
零件編號:
IRFHM8363TR2PBF-DG
描述:
MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
详细描述:
Mosfet Array 30V 11A 2.7W Surface Mount 8-PQFN-Dual (3.3x3.3)
庫存:
12806532
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IRFHM8363TR2PBF 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管陣列
製造商
Infineon Technologies
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 N-Channel (Dual)
FET 特性
Logic Level Gate
漏源電壓 （Vdss）
30V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14.9mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.35V @ 25µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
15nC @ 10V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
1165pF @ 10V
功率 - 最大值
2.7W
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
8-PowerVDFN
供應商設備包
8-PQFN-Dual (3.3x3.3)
基本產品編號
IRFHM8363
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
400
其他名稱
IRFHM8363TR2PBFTR
IRFHM8363TR2PBFDKR
SP001564106
IRFHM8363TR2PBFCT
環境及出口分類
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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