製造商產品編號:
IRF9389TRPBF
Product Overview
製造商:
Infineon Technologies
零件編號:
IRF9389TRPBF-DG
描述:
MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8SO
详细描述:
Mosfet Array 30V 6.8A, 4.6A 2W Surface Mount 8-SO
庫存:
16231 全新原裝現貨
12805011
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IRF9389TRPBF 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管陣列
製造商
Infineon Technologies
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
產品狀態
Active
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
N and P-Channel
FET 特性
Logic Level Gate
漏源電壓 （Vdss）
30V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
6.8A, 4.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
27mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.3V @ 10µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
14nC @ 10V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
398pF @ 15V
功率 - 最大值
2W
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包
8-SO
基本產品編號
IRF9389
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
4,000
其他名稱
SP001551666
IRF9389TRPBFTR
IRF9389TRPBFCT
IRF9389TRPBFDKR
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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