IRF8327STR1PBF
製造商產品編號:

IRF8327STR1PBF

Product Overview

製造商:

Infineon Technologies

零件編號:

IRF8327STR1PBF-DG

描述:

MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
详细描述:
N-Channel 30 V 14A (Ta), 60A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SQ

庫存:

12804599
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IRF8327STR1PBF 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
Infineon Technologies
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
30 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
14A (Ta), 60A (Tc)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.3mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
2.4V @ 25µA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 4.5 V
Vgs (最大值)
±20V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
1430 pF @ 15 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
2.2W (Ta), 42W (Tc)
工作溫度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
DIRECTFET™ SQ
包裝 / 外殼
DirectFET™ Isometric SQ

資料表及文件

額外資訊

標準套餐
1,000
其他名稱
IRF8327STR1PBFCT
IRF8327STR1PBFDKR
SP001565762
IRF8327STR1PBF-DG
IRF8327STR1PBFTR

環境及出口分類

濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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