製造商產品編號:
IRF7338PBF
Product Overview
製造商:
Infineon Technologies
零件編號:
IRF7338PBF-DG
描述:
MOSFET N/P-CH 12V 6.3A/3A 8SO
详细描述:
Mosfet Array 12V 6.3A, 3A 2W Surface Mount 8-SO
庫存:
12804266
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IRF7338PBF 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管陣列
製造商
Infineon Technologies
包裝
-
系列
HEXFET®
產品狀態
Obsolete
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
N and P-Channel
FET 特性
Logic Level Gate
漏源電壓 （Vdss）
12V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
6.3A, 3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
34mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs（th） （最大值） @ Id
1.5V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
8.6nC @ 4.5V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
640pF @ 9V
功率 - 最大值
2W
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包
8-SO
基本產品編號
IRF733
資料表及文件
HTML 資料表
資料表
額外資訊
標準套餐
95
其他名稱
SP001565278
*IRF7338PBF
環境及出口分類
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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