製造商產品編號:
IRF6665
Product Overview
製造商:
Infineon Technologies
零件編號:
IRF6665-DG
描述:
MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
详细描述:
N-Channel 100 V 4.2A (Ta), 19A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SH
庫存:
12805911
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IRF6665 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Infineon Technologies
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
100 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
4.2A (Ta), 19A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
62mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
5V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
530 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
2.2W (Ta), 42W (Tc)
工作溫度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
DIRECTFET™ SH
包裝 / 外殼
DirectFET™ Isometric SH
資料表及文件
HTML 資料表
資料表
額外資訊
標準套餐
4,800
其他名稱
SP001554114
環境及出口分類
RoHS 狀態
RoHS non-compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
3 (168 Hours)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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