製造商產品編號:
IRF5802TRPBF
Product Overview
製造商:
Infineon Technologies
零件編號:
IRF5802TRPBF-DG
描述:
MOSFET N-CH 150V 900MA MICRO6
详细描述:
N-Channel 150 V 900mA (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
庫存:
8278 全新原裝現貨
12804043
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IRF5802TRPBF 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Infineon Technologies
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
150 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
900mA (Ta)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 540mA, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
5.5V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
6.8 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
88 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
2W (Ta)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
Micro6™(TSOP-6)
包裝 / 外殼
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
基本產品編號
IRF5802
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
3,000
其他名稱
IRF5802TRPBFTR
IRF5802TRPBF-DG
IRF5802TRPBFCT
SP001561828
IRF5802TRPBFDKR
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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