製造商產品編號:
IPW60R070C6FKSA1
Product Overview
製造商:
Infineon Technologies
零件編號:
IPW60R070C6FKSA1-DG
描述:
MOSFET N-CH 600V 53A TO247-3
详细描述:
N-Channel 600 V 53A (Tc) 391W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
庫存:
578 全新原裝現貨
12805163
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IPW60R070C6FKSA1 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Infineon Technologies
包裝
Tube
系列
CoolMOS™
產品狀態
Not For New Designs
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
600 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
53A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
70mOhm @ 25.8A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3.5V @ 1.72mA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
170 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
3800 pF @ 100 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
391W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
PG-TO247-3-1
包裝 / 外殼
TO-247-3
基本產品編號
IPW60R070
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
30
其他名稱
IPW60R070C6-DG
2156-IPW60R070C6FKSA1
IPW60R070C6
SP000645060
IPW60R070C6FKSA1-DG
448-IPW60R070C6FKSA1
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
TK35N65W,S1F
製造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用數量
15
部件號碼
TK35N65W,S1F-DG
單位價格
3.78
替代類型
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DIGI 認證
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