製造商產品編號:
IPU80R2K4P7AKMA1
Product Overview
製造商:
Infineon Technologies
零件編號:
IPU80R2K4P7AKMA1-DG
描述:
MOSFET N-CH 800V 2.5A TO251-3
详细描述:
N-Channel 800 V 2.5A (Tc) 22W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
庫存:
1339 全新原裝現貨
12805414
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IPU80R2K4P7AKMA1 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Infineon Technologies
包裝
Tube
系列
CoolMOS™ P7
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
800 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
2.5A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.4Ohm @ 800mA, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3.5V @ 40µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
7.5 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
150 pF @ 500 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
22W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
PG-TO251-3
包裝 / 外殼
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
基本產品編號
IPU80R2
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
1,500
其他名稱
2156-IPU80R2K4P7AKMA1
SP001644612
IFEINFIPU80R2K4P7AKMA1
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
IPS80R2K4P7AKMA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
0
部件號碼
IPS80R2K4P7AKMA1-DG
單位價格
0.37
替代類型
Parametric Equivalent
DIGI 認證
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