製造商產品編號:
IPT65R195G7XTMA1
Product Overview
製造商:
Infineon Technologies
零件編號:
IPT65R195G7XTMA1-DG
描述:
MOSFET N-CH 650V 14A 8HSOF
详细描述:
N-Channel 650 V 14A (Tc) 97W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-2
庫存:
12806479
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IPT65R195G7XTMA1 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Infineon Technologies
包裝
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
系列
CoolMOS™ C7
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
650 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
14A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
195mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 240µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
996 pF @ 400 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
97W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
PG-HSOF-8-2
包裝 / 外殼
8-PowerSFN
基本產品編號
IPT65R195
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
2,000
其他名稱
IPT65R195G7XTMA1CT
IPT65R195G7XTMA1TR
IPT65R195G7XTMA1DKR
INFINFIPT65R195G7XTMA1
2156-IPT65R195G7XTMA1
IPT65R195G7XTMA1-DG
SP001456206
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
IPT65R190CFD7XTMA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
0
部件號碼
IPT65R190CFD7XTMA1-DG
單位價格
1.25
替代類型
MFR Recommended
DIGI 認證
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