製造商產品編號:
IPS60R3K4CEAKMA1
Product Overview
製造商:
Infineon Technologies
零件編號:
IPS60R3K4CEAKMA1-DG
描述:
CONSUMER
详细描述:
N-Channel 600 V 2.6A (Tj) Through Hole PG-TO251-3
庫存:
12816756
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IPS60R3K4CEAKMA1 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Infineon Technologies
包裝
Tube
系列
CoolMOS™ CE
產品狀態
Last Time Buy
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
600 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
2.6A (Tj)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.4Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3.5V @ 40µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
4.6 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
93 pF @ 100 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
-
工作溫度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
PG-TO251-3
包裝 / 外殼
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
基本產品編號
IPS60R3
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
1,500
其他名稱
2156-IPS60R3K4CEAKMA1
SP001422886
ROCINFIPS60R3K4CEAKMA1
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
3 (168 Hours)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
IPS70R1K4P7SAKMA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
0
部件號碼
IPS70R1K4P7SAKMA1-DG
單位價格
0.18
替代類型
MFR Recommended
部件編號
STD3NK60Z-1
製造商
STMicroelectronics
可用數量
2900
部件號碼
STD3NK60Z-1-DG
單位價格
0.34
替代類型
MFR Recommended
DIGI 認證
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