IPP80N06S209AKSA1
製造商產品編號:

IPP80N06S209AKSA1

Product Overview

製造商:

Infineon Technologies

零件編號:

IPP80N06S209AKSA1-DG

描述:

MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 190W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1

庫存:

12804378
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IPP80N06S209AKSA1 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
Infineon Technologies
包裝
-
系列
OptiMOS™
產品狀態
Discontinued at Digi-Key
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
55 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
80A (Tc)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.1mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
4V @ 125µA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±20V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
2360 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
190W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
PG-TO220-3-1
包裝 / 外殼
TO-220-3
基本產品編號
IPP80N

資料表及文件

額外資訊

標準套餐
500
其他名稱
IPP80N06S2-09
2156-IPP80N06S209AKSA1
INFINFIPP80N06S209AKSA1
IPP80N06S2-09-DG
SP000218740

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
IRF830APBF
製造商
Vishay Siliconix
可用數量
5605
部件號碼
IRF830APBF-DG
單位價格
0.59
替代類型
MFR Recommended
部件編號
IRFBC30APBF
製造商
Vishay Siliconix
可用數量
1483
部件號碼
IRFBC30APBF-DG
單位價格
1.19
替代類型
MFR Recommended
部件編號
STP80NF55-06
製造商
STMicroelectronics
可用數量
999
部件號碼
STP80NF55-06-DG
單位價格
1.54
替代類型
MFR Recommended
DIGI 認證
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