製造商產品編號:
IPP60R299CPXKSA1
Product Overview
製造商:
Infineon Technologies
零件編號:
IPP60R299CPXKSA1-DG
描述:
MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3
详细描述:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 96W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
庫存:
12803607
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IPP60R299CPXKSA1 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Infineon Technologies
包裝
Tube
系列
CoolMOS™
產品狀態
Not For New Designs
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
650 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
11A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
299mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3.5V @ 440µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
1100 pF @ 100 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
96W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
PG-TO220-3
包裝 / 外殼
TO-220-3
基本產品編號
IPP60R299
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
50
其他名稱
IPP60R299CP
448-IPP60R299CPXKSA1
IPP60R299CPX
SP000084280
IPP60R299CPAKSA1
IPP60R299CPIN-NDR
IPP60R299CPXK
IPP60R299CPXKSA1-DG
IPP60R299CPXTIN-DG
IPP60R299CPXTIN
IPP60R299CPIN
IPP60R299CPIN-DG
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
DIGI 認證
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