IPP60R125CPXKSA1
製造商產品編號:

IPP60R125CPXKSA1

Product Overview

製造商:

Infineon Technologies

零件編號:

IPP60R125CPXKSA1-DG

描述:

MOSFET N-CH 650V 25A TO220-3
详细描述:
N-Channel 650 V 25A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO220-3

庫存:

4944 全新原裝現貨
12804301
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IPP60R125CPXKSA1 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
Infineon Technologies
包裝
Tube
系列
CoolMOS™
產品狀態
Not For New Designs
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
650 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
25A (Tc)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
3.5V @ 1.1mA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±20V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
2500 pF @ 100 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
208W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
PG-TO220-3
包裝 / 外殼
TO-220-3
基本產品編號
IPP60R125

資料表及文件

額外資訊

標準套餐
50
其他名稱
2156-IPP60R125CPXKSA1
IPP60R125CPX
IPP60R125CP-DG
IPP60R125CPXK
IPP60R125CP
SP000088488
INFINFIPP60R125CPXKSA1

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
STP34NM60N
製造商
STMicroelectronics
可用數量
458
部件號碼
STP34NM60N-DG
單位價格
5.09
替代類型
MFR Recommended
部件編號
IRF830APBF
製造商
Vishay Siliconix
可用數量
5605
部件號碼
IRF830APBF-DG
單位價格
0.59
替代類型
MFR Recommended
部件編號
AOT42S60L
製造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
可用數量
16990
部件號碼
AOT42S60L-DG
單位價格
2.63
替代類型
MFR Recommended
部件編號
STP26NM60N
製造商
STMicroelectronics
可用數量
0
部件號碼
STP26NM60N-DG
單位價格
3.02
替代類型
MFR Recommended
部件編號
STP33N60M2
製造商
STMicroelectronics
可用數量
727
部件號碼
STP33N60M2-DG
單位價格
2.08
替代類型
MFR Recommended
DIGI 認證
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