製造商產品編號:
IPP057N06N3GXKSA1
Product Overview
製造商:
Infineon Technologies
零件編號:
IPP057N06N3GXKSA1-DG
描述:
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
详细描述:
N-Channel 60 V 80A (Tc) 115W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
庫存:
494 全新原裝現貨
12803514
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IPP057N06N3GXKSA1 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Infineon Technologies
包裝
Tube
系列
OptiMOS™
產品狀態
Not For New Designs
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
60 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
80A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 58µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
82 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
6600 pF @ 30 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
115W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
PG-TO220-3
包裝 / 外殼
TO-220-3
基本產品編號
IPP057
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
50
其他名稱
IPP057N06N3 G
IPP057N06N3G
IPP057N06N3 G-DG
SP000680808
INFINFIPP057N06N3GXKSA1
2156-IPP057N06N3GXKSA1
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
PSMN4R6-60PS,127
製造商
Nexperia USA Inc.
可用數量
7843
部件號碼
PSMN4R6-60PS,127-DG
單位價格
1.15
替代類型
MFR Recommended
部件編號
TK4R3E06PL,S1X
製造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用數量
177
部件號碼
TK4R3E06PL,S1X-DG
單位價格
0.51
替代類型
MFR Recommended
部件編號
PSMN3R0-60PS,127
製造商
Nexperia USA Inc.
可用數量
4251
部件號碼
PSMN3R0-60PS,127-DG
單位價格
1.62
替代類型
MFR Recommended
DIGI 認證
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