製造商產品編號:
IPL65R420E6AUMA1
Product Overview
製造商:
Infineon Technologies
零件編號:
IPL65R420E6AUMA1-DG
描述:
MOSFET N-CH 650V 10.1A THIN-PAK
详细描述:
N-Channel 650 V 10.1A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4
庫存:
12801262
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IPL65R420E6AUMA1 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Infineon Technologies
包裝
-
系列
CoolMOS™ E6
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
650 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
10.1A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
420mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3.5V @ 300µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
710 pF @ 100 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
83W (Tc)
工作溫度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
PG-VSON-4
包裝 / 外殼
4-PowerTSFN
基本產品編號
IPL65R
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
3,000
其他名稱
SP000895214
環境及出口分類
濕氣敏感度等級 （MSL）
2A (4 Weeks)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
IPL65R130C7AUMA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
0
部件號碼
IPL65R130C7AUMA1-DG
單位價格
2.18
替代類型
Direct
DIGI 認證
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