IPL60R210P6AUMA1
製造商產品編號:

IPL60R210P6AUMA1

Product Overview

製造商:

Infineon Technologies

零件編號:

IPL60R210P6AUMA1-DG

描述:

MOSFET N-CH 600V 19.2A 4VSON
详细描述:
N-Channel 600 V 19.2A (Tc) 151W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4

庫存:

3000 全新原裝現貨
12803754
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IPL60R210P6AUMA1 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
Infineon Technologies
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
CoolMOS™ P6
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
600 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
19.2A (Tc)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
210mOhm @ 7.6A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
4.5V @ 630µA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±20V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
1750 pF @ 100 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
151W (Tc)
工作溫度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
PG-VSON-4
包裝 / 外殼
4-PowerTSFN
基本產品編號
IPL60R210

資料表及文件

額外資訊

標準套餐
3,000
其他名稱
2156-IPL60R210P6AUMA1
SP001017096
IPL60R210P6AUMA1CT
IPL60R210P6AUMA1TR
IPL60R210P6AUMA1DKR
INFINFIPL60R210P6AUMA1

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
2A (4 Weeks)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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