製造商產品編號:
IPI60R299CPXKSA1
Product Overview
製造商:
Infineon Technologies
零件編號:
IPI60R299CPXKSA1-DG
描述:
MOSFET N-CH 600V 11A TO262-3
详细描述:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 96W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
庫存:
12805882
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IPI60R299CPXKSA1 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Infineon Technologies
包裝
-
系列
CoolMOS™
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
600 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
11A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
299mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3.5V @ 440µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
1100 pF @ 100 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
96W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
PG-TO262-3
包裝 / 外殼
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
基本產品編號
IPI60R
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
500
其他名稱
2156-IPI60R299CPXKSA1-IT
IFEINFIPI60R299CPXKSA1
IPI60R299CP-DG
IPI60R299CPXK
IPI60R299CPX
IPI60R299CP
SP000103249
IPI60R299CPAKSA1
環境及出口分類
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
DIGI 認證
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