IPI50R350CP
製造商產品編號:

IPI50R350CP

Product Overview

製造商:

Infineon Technologies

零件編號:

IPI50R350CP-DG

描述:

MOSFET N-CH 550V 10A TO262-3
详细描述:
N-Channel 550 V 10A (Tc) 89W (Tc) Through Hole PG-TO262-3

庫存:

12846233
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IPI50R350CP 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
Infineon Technologies
包裝
-
系列
CoolMOS™
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
550 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
10A (Tc)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
350mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
3.5V @ 370µA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±20V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
1020 pF @ 100 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
89W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
PG-TO262-3
包裝 / 外殼
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
基本產品編號
IPI50R

資料表及文件

HTML 資料表
資料表
數據表

額外資訊

標準套餐
500
其他名稱
SP000236084
2156-IPI50R350CP
ROCINFIPI50R350CP

環境及出口分類

濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
STP18N55M5
製造商
STMicroelectronics
可用數量
971
部件號碼
STP18N55M5-DG
單位價格
1.33
替代類型
MFR Recommended
DIGI 認證
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