製造商產品編號:
IPD65R380C6BTMA1
Product Overview
製造商:
Infineon Technologies
零件編號:
IPD65R380C6BTMA1-DG
描述:
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
详细描述:
N-Channel 650 V 10.6A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
庫存:
12801352
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IPD65R380C6BTMA1 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Infineon Technologies
包裝
-
系列
CoolMOS™
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
650 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
10.6A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
380mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3.5V @ 320µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
710 pF @ 100 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
83W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
PG-TO252-3
包裝 / 外殼
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
基本產品編號
IPD65R
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
2,500
其他名稱
IPD65R380C6DKR-DG
IPD65R380C6TR-DG
IPD65R380C6CT
IPD65R380C6CT-DG
SP000745022
IPD65R380C6DKR
IPD65R380C6BTMA1CT
IFEINFIPD65R380C6BTMA1
2156-IPD65R380C6BTMA1
IPD65R380C6BTMA1DKR
IPD65R380C6TR
IPD65R380C6BTMA1TR
IPD65R380C6
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
PJMD360N60EC_L2_00001
製造商
Panjit International Inc.
可用數量
5985
部件號碼
PJMD360N60EC_L2_00001-DG
單位價格
1.21
替代類型
MFR Recommended
部件編號
AOD11S60
製造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
可用數量
5786
部件號碼
AOD11S60-DG
單位價格
0.87
替代類型
MFR Recommended
DIGI 認證
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