製造商產品編號:
IPD30N06S215ATMA2
Product Overview
製造商:
Infineon Technologies
零件編號:
IPD30N06S215ATMA2-DG
描述:
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
详细描述:
N-Channel 55 V 30A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
庫存:
4675 全新原裝現貨
12804172
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IPD30N06S215ATMA2 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Infineon Technologies
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
55 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
30A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14.7mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 80µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
1485 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
136W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
PG-TO252-3-11
包裝 / 外殼
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
基本產品編號
IPD30N06
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
2,500
其他名稱
SP001061724
IPD30N06S215ATMA2DKR
2156-IPD30N06S215ATMA2
IPD30N06S215ATMA2TR
IPD30N06S215ATMA2CT
IPD30N06S215ATMA2-DG
INFINFIPD30N06S215ATMA2
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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