製造商產品編號:
IPD122N10N3GBTMA1
Product Overview
製造商:
Infineon Technologies
零件編號:
IPD122N10N3GBTMA1-DG
描述:
MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3
详细描述:
N-Channel 100 V 59A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
庫存:
12800958
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IPD122N10N3GBTMA1 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Infineon Technologies
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
100 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
59A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12.2mOhm @ 46A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3.5V @ 46µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
2500 pF @ 50 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
94W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
PG-TO252-3
包裝 / 外殼
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
基本產品編號
IPD122N
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
2,500
其他名稱
SP000485966
IPD122N10N3GBTMA1DKR
IPD122N10N3GBTMA1CT
2156-IPD122N10N3GBTMA1-ITTR-DG
IPD122N10N3 GTR-DG
IPD122N10N3 GDKR
INFINFIPD122N10N3GBTMA1
IPD122N10N3 GCT-DG
IPD122N10N3GXT
2156-IPD122N10N3GBTMA1
IPD122N10N3GBTMA1TR
IPD122N10N3 G
IPD122N10N3G
IPD122N10N3 G-DG
IPD122N10N3 GDKR-DG
IPD122N10N3 GCT
環境及出口分類
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
IRLR3110ZTRPBF
製造商
Infineon Technologies
可用數量
20611
部件號碼
IRLR3110ZTRPBF-DG
單位價格
0.73
替代類型
MFR Recommended
部件編號
SUD40N08-16-E3
製造商
Vishay Siliconix
可用數量
7830
部件號碼
SUD40N08-16-E3-DG
單位價格
1.27
替代類型
MFR Recommended
部件編號
IPD122N10N3GATMA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
29796
部件號碼
IPD122N10N3GATMA1-DG
單位價格
0.51
替代類型
Parametric Equivalent
DIGI 認證
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