製造商產品編號:
IPD06P003NATMA1
Product Overview
製造商:
Infineon Technologies
零件編號:
IPD06P003NATMA1-DG
描述:
MOSFET P-CH 60V 22A TO252-3
详细描述:
P-Channel 60 V 22A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
庫存:
12800416
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IPD06P003NATMA1 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Infineon Technologies
包裝
-
系列
OptiMOS™
產品狀態
Obsolete
FET 類型
P-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
60 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
22A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
65mOhm @ 22A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 1.04mA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
1600 pF @ 30 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
83W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
PG-TO252-3
包裝 / 外殼
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
基本產品編號
IPD06P
資料表及文件
HTML 資料表
資料表
額外資訊
標準套餐
2,500
其他名稱
SP001657000
環境及出口分類
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
SQD19P06-60L_T4GE3
製造商
Vishay Siliconix
可用數量
6962
部件號碼
SQD19P06-60L_T4GE3-DG
單位價格
0.55
替代類型
MFR Recommended
部件編號
IPD650P06NMATMA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
13516
部件號碼
IPD650P06NMATMA1-DG
單位價格
0.63
替代類型
Parametric Equivalent
DIGI 認證
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