製造商產品編號:
IPB80N06S2L07ATMA1
Product Overview
製造商:
Infineon Technologies
零件編號:
IPB80N06S2L07ATMA1-DG
描述:
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 210W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
庫存:
12809122
請求報價
數量
最低限1
最低限1
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
我們會在24小時內回覆您
提交
IPB80N06S2L07ATMA1 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Infineon Technologies
包裝
-
系列
OptiMOS™
產品狀態
Discontinued at Digi-Key
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
55 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
80A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.7mOhm @ 60A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2V @ 150µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
3160 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
210W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
PG-TO263-3-2
包裝 / 外殼
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
基本產品編號
IPB80N
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
1,000
其他名稱
IPB80N06S2L07ATMA1TR
IPB80N06S2L-07-DG
SP000218867
IPB80N06S2L-07
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
BUK9608-55B,118
製造商
Nexperia USA Inc.
可用數量
43182
部件號碼
BUK9608-55B,118-DG
單位價格
0.89
替代類型
MFR Recommended
部件編號
STB150NF55T4
製造商
STMicroelectronics
可用數量
969
部件號碼
STB150NF55T4-DG
單位價格
1.68
替代類型
MFR Recommended
部件編號
BUK6607-55C,118
製造商
NXP USA Inc.
可用數量
400
部件號碼
BUK6607-55C,118-DG
單位價格
0.80
替代類型
MFR Recommended
部件編號
PSMN7R6-60BS,118
製造商
Nexperia USA Inc.
可用數量
7953
部件號碼
PSMN7R6-60BS,118-DG
單位價格
0.65
替代類型
MFR Recommended
DIGI 認證
相關產品
SPD07N60S5T
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
IPP80R280P7XKSA1
MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3
IRF7452TRPBF
MOSFET N-CH 100V 4.5A 8SO
