IPB80N04S2H4ATMA2
製造商產品編號:

IPB80N04S2H4ATMA2

Product Overview

製造商:

Infineon Technologies

零件編號:

IPB80N04S2H4ATMA2-DG

描述:

MOSFET N-CHANNEL_30/40V
详细描述:
N-Channel 40 V 80A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2

庫存:

712 全新原裝現貨
12800016
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IPB80N04S2H4ATMA2 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
Infineon Technologies
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
CoolMOS™
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
40 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
80A (Tc)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
4V @ 250µA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
148 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±20V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
4400 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
300W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
PG-TO263-3-2
包裝 / 外殼
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
基本產品編號
IPB80N

資料表及文件

額外資訊

標準套餐
1,000
其他名稱
INFINFIPB80N04S2H4ATMA2
IPB80N04S2H4ATMA2-DG
448-IPB80N04S2H4ATMA2CT
SP001058130
448-IPB80N04S2H4ATMA2DKR
2156-IPB80N04S2H4ATMA2
448-IPB80N04S2H4ATMA2TR

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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