製造商產品編號:
IPB65R600C6ATMA1
Product Overview
製造商:
Infineon Technologies
零件編號:
IPB65R600C6ATMA1-DG
描述:
MOSFET N-CH 650V 7.3A D2PAK
详细描述:
N-Channel 650 V 7.3A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
庫存:
12800561
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IPB65R600C6ATMA1 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Infineon Technologies
包裝
-
系列
CoolMOS™
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
650 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
7.3A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3.5V @ 210µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
440 pF @ 100 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
63W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
PG-TO263-3
包裝 / 外殼
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
基本產品編號
IPB65R
資料表及文件
HTML 資料表
資料表
額外資訊
標準套餐
1,000
其他名稱
IPB65R600C6ATMA1TR
IPB65R600C6
IPB65R600C6-DG
IPB65R600C6DKR-DG
SP000794382
IPB65R600C6ATMA1DKR
IPB65R600C6CT-DG
IPB65R600C6DKR
IPB65R600C6ATMA1CT
IPB65R600C6CT
IPB65R600C6TR-DG
環境及出口分類
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
SIHD6N65ET1-GE3
製造商
Vishay Siliconix
可用數量
0
部件號碼
SIHD6N65ET1-GE3-DG
單位價格
0.59
替代類型
MFR Recommended
DIGI 認證
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