製造商產品編號:
IPB50CN10NGATMA1
Product Overview
製造商:
Infineon Technologies
零件編號:
IPB50CN10NGATMA1-DG
描述:
MOSFET N-CH 100V 20A TO263-3
详细描述:
N-Channel 100 V 20A (Tc) 44W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
庫存:
12799914
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IPB50CN10NGATMA1 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Infineon Technologies
包裝
-
系列
OptiMOS™
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
100 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
20A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
50mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 20µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
1090 pF @ 50 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
44W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
PG-TO263-3-2
包裝 / 外殼
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
資料表及文件
HTML 資料表
資料表
額外資訊
標準套餐
1,000
其他名稱
SP000277696
IPB50CN10N G
INFINFIPB50CN10NGATMA1
IPB50CN10NGATMA1TR
IPB50CN10N G-DG
2156-IPB50CN10NGATMA1-ITTR
環境及出口分類
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
PHB27NQ10T,118
製造商
Nexperia USA Inc.
可用數量
7068
部件號碼
PHB27NQ10T,118-DG
單位價格
0.55
替代類型
MFR Recommended
DIGI 認證
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