製造商產品編號:
IPB035N08N3GATMA1
Product Overview
製造商:
Infineon Technologies
零件編號:
IPB035N08N3GATMA1-DG
描述:
MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK
详细描述:
N-Channel 80 V 100A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
庫存:
977 全新原裝現貨
12800594
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IPB035N08N3GATMA1 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Infineon Technologies
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
80 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
100A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3.5V @ 155µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
117 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
8110 pF @ 40 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
214W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
PG-TO263-3
包裝 / 外殼
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
基本產品編號
IPB035
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
1,000
其他名稱
IPB035N08N3G
SP000457588
IPB035N08N3 GTR-DG
IPB035N08N3GATMA1TR
IPB035N08N3 GDKR-DG
IPB035N08N3 G-DG
IPB035N08N3GATMA1CT
IPB035N08N3 GCT-DG
IPB035N08N3 GDKR
IPB035N08N3GATMA1DKR
IPB035N08N3 GCT
IPB035N08N3 G
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
PSMN3R3-80BS,118
製造商
Nexperia USA Inc.
可用數量
18942
部件號碼
PSMN3R3-80BS,118-DG
單位價格
1.37
替代類型
MFR Recommended
部件編號
PSMN2R8-80BS,118
製造商
Nexperia USA Inc.
可用數量
51094
部件號碼
PSMN2R8-80BS,118-DG
單位價格
1.57
替代類型
MFR Recommended
DIGI 認證
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