製造商產品編號:
IPB025N10N3GE8187ATMA1
Product Overview
製造商:
Infineon Technologies
零件編號:
IPB025N10N3GE8187ATMA1-DG
描述:
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
详细描述:
N-Channel 100 V 180A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
庫存:
12800296
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IPB025N10N3GE8187ATMA1 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Infineon Technologies
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
產品狀態
Not For New Designs
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
100 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
180A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3.5V @ 275µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
206 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
14800 pF @ 50 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
300W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
PG-TO263-7
包裝 / 外殼
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
基本產品編號
IPB025
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
1,000
其他名稱
IPB025N10N3 G E8187-DG
SP000939338
IPB025N10N3 G E8187
IPB025N10N3GE8187ATMA1TR
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
IPB025N10N3GATMA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
627
部件號碼
IPB025N10N3GATMA1-DG
單位價格
3.25
替代類型
Parametric Equivalent
DIGI 認證
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