製造商產品編號:
IPB019N06L3GATMA1
Product Overview
製造商:
Infineon Technologies
零件編號:
IPB019N06L3GATMA1-DG
描述:
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
详细描述:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
庫存:
7726 全新原裝現貨
12857648
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IPB019N06L3GATMA1 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Infineon Technologies
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
60 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
120A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.2V @ 196µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
166 nC @ 4.5 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
28000 pF @ 30 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
250W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
PG-TO263-3
包裝 / 外殼
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
基本產品編號
IPB019
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
1,000
其他名稱
IPB019N06L3 G-DG
IPB019N06L3G
IPB019N06L3 G
IPB019N06L3 GDKR-DG
IPB019N06L3GATMA1CT
IPB019N06L3 GDKR
IPB019N06L3GATMA1TR
IPB019N06L3 GCT-DG
IPB019N06L3GATMA1DKR
IPB019N06L3 GCT
IPB019N06L3 GTR-DG
SP000453020
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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