IPAW60R360P7SXKSA1
製造商產品編號:

IPAW60R360P7SXKSA1

Product Overview

製造商:

Infineon Technologies

零件編號:

IPAW60R360P7SXKSA1-DG

描述:

MOSFET N-CH 650V 9A TO220
详细描述:
N-Channel 650 V 9A (Tc) 22W (Tc) Through Hole PG-TO220 Full Pack

庫存:

81 全新原裝現貨
12802942
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IPAW60R360P7SXKSA1 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
Infineon Technologies
包裝
Tube
系列
CoolMOS™ P7
產品狀態
Last Time Buy
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
650 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
9A (Tc)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
360mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
4V @ 140µA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±30V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
555 pF @ 400 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
22W (Tc)
工作溫度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
PG-TO220 Full Pack
包裝 / 外殼
TO-220-3 Full Pack
基本產品編號
IPAW60

資料表及文件

額外資訊

標準套餐
45
其他名稱
IFEINFIPAW60R360P7SXKSA1
2156-IPAW60R360P7SXKSA1
SP001606074

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
TK10A60W,S4VX
製造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用數量
49
部件號碼
TK10A60W,S4VX-DG
單位價格
1.16
替代類型
MFR Recommended
部件編號
STFU18N65M2
製造商
STMicroelectronics
可用數量
925
部件號碼
STFU18N65M2-DG
單位價格
1.09
替代類型
MFR Recommended
部件編號
AOTF11S65L
製造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
可用數量
2967
部件號碼
AOTF11S65L-DG
單位價格
0.98
替代類型
MFR Recommended
部件編號
TK11A65W,S5X
製造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用數量
81
部件號碼
TK11A65W,S5X-DG
單位價格
0.50
替代類型
MFR Recommended
部件編號
STF15N65M5
製造商
STMicroelectronics
可用數量
481
部件號碼
STF15N65M5-DG
單位價格
0.98
替代類型
MFR Recommended
DIGI 認證
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