製造商產品編號:
IPAN80R360P7XKSA1
Product Overview
製造商:
Infineon Technologies
零件編號:
IPAN80R360P7XKSA1-DG
描述:
MOSFET N-CH 800V 13A TO220
详细描述:
N-Channel 800 V 13A (Tc) 30W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
庫存:
12801839
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IPAN80R360P7XKSA1 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Infineon Technologies
包裝
Tube
系列
CoolMOS™ P7
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
800 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
13A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
360mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3.5V @ 280µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
930 pF @ 500 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
30W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
PG-TO220-FP
包裝 / 外殼
TO-220-3 Full Pack
基本產品編號
IPAN80
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
50
其他名稱
SP001702158
2156-IPAN80R360P7XKSA1
INFINFIPAN80R360P7XKSA1
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
Not Applicable
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
TK11A65W,S5X
製造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用數量
81
部件號碼
TK11A65W,S5X-DG
單位價格
0.50
替代類型
MFR Recommended
部件編號
IPA80R360P7XKSA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
279
部件號碼
IPA80R360P7XKSA1-DG
單位價格
1.03
替代類型
Parametric Equivalent
DIGI 認證
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