製造商產品編號:
IPA60R1K0CEXKSA1
Product Overview
製造商:
Infineon Technologies
零件編號:
IPA60R1K0CEXKSA1-DG
描述:
MOSFET N-CH 600V 6.8A TO220
详细描述:
N-Channel 600 V 6.8A (Tc) 26W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
庫存:
469 全新原裝現貨
12845858
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IPA60R1K0CEXKSA1 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Infineon Technologies
包裝
Tube
系列
CoolMOS™
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
600 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
6.8A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3.5V @ 130µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
280 pF @ 100 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
26W (Tc)
工作溫度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
PG-TO220-FP
包裝 / 外殼
TO-220-3 Full Pack
基本產品編號
IPA60R1
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
500
其他名稱
SP001429478
448-IPA60R1K0CEXKSA1
IPA60R1K0CEXKSA1-DG
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
TK7A65D(STA4,Q,M)
製造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用數量
45
部件號碼
TK7A65D(STA4,Q,M)-DG
單位價格
0.84
替代類型
MFR Recommended
DIGI 認證
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