IPA60R125C6XKSA1
製造商產品編號:

IPA60R125C6XKSA1

Product Overview

製造商:

Infineon Technologies

零件編號:

IPA60R125C6XKSA1-DG

描述:

MOSFET N-CH 600V 30A TO220-FP
详细描述:
N-Channel 600 V 30A (Tc) 34W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP

庫存:

478 全新原裝現貨
12850885
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IPA60R125C6XKSA1 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
Infineon Technologies
包裝
Tube
系列
CoolMOS™
產品狀態
Not For New Designs
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
600 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
30A (Tc)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
3.5V @ 960µA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
96 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±20V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
2127 pF @ 100 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
34W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
PG-TO220-FP
包裝 / 外殼
TO-220-3 Full Pack
基本產品編號
IPA60R

資料表及文件

額外資訊

標準套餐
50
其他名稱
IPA60R125C6
448-IPA60R125C6XKSA1
SP000685848
IPA60R125C6XKSA1-DG
IPA60R125C6-DG

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
FCPF125N65S3
製造商
onsemi
可用數量
1000
部件號碼
FCPF125N65S3-DG
單位價格
2.13
替代類型
MFR Recommended
部件編號
STF42N60M2-EP
製造商
STMicroelectronics
可用數量
4931
部件號碼
STF42N60M2-EP-DG
單位價格
3.34
替代類型
Direct
部件編號
R6030KNXC7
製造商
Rohm Semiconductor
可用數量
1500
部件號碼
R6030KNXC7-DG
單位價格
1.76
替代類型
MFR Recommended
部件編號
R6030ENX
製造商
Rohm Semiconductor
可用數量
0
部件號碼
R6030ENX-DG
單位價格
2.69
替代類型
MFR Recommended
部件編號
R6030KNX
製造商
Rohm Semiconductor
可用數量
500
部件號碼
R6030KNX-DG
單位價格
1.62
替代類型
MFR Recommended
DIGI 認證
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