製造商產品編號:
IMW120R045M1XKSA1
Product Overview
製造商:
Infineon Technologies
零件編號:
IMW120R045M1XKSA1-DG
描述:
SICFET N-CH 1.2KV 52A TO247-3
详细描述:
N-Channel 1200 V 52A (Tc) 228W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
庫存:
58 全新原裝現貨
12800230
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IMW120R045M1XKSA1 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Infineon Technologies
包裝
Tube
系列
CoolSiC™
產品狀態
Not For New Designs
FET 類型
N-Channel
科技
SiCFET (Silicon Carbide)
漏源電壓 （Vdss）
1200 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
52A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
59mOhm @ 20A, 15V
Vgs（th） （最大值） @ Id
5.7V @ 10mA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
52 nC @ 15 V
Vgs （最大值）
+20V, -10V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
1900 pF @ 800 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
228W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
PG-TO247-3-41
包裝 / 外殼
TO-247-3
基本產品編號
IMW120
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
30
其他名稱
IMW120R045M1XKSA1-DG
SP001346254
448-IMW120R045M1XKSA1
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
Not Applicable
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
MSC025SMA120B
製造商
Microchip Technology
可用數量
30
部件號碼
MSC025SMA120B-DG
單位價格
28.12
替代類型
MFR Recommended
DIGI 認證
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