製造商產品編號:
IMT65R107M1HXUMA1
Product Overview
製造商:
Infineon Technologies
零件編號:
IMT65R107M1HXUMA1-DG
描述:
SILICON CARBIDE MOSFET
详细描述:
650 V Surface Mount PG-HSOF-8-1
庫存:
1950 全新原裝現貨
12989069
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IMT65R107M1HXUMA1 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Infineon Technologies
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
CoolSiC™
產品狀態
Active
FET 類型
-
科技
SiCFET (Silicon Carbide)
漏源電壓 （Vdss）
650 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
-
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs（th） （最大值） @ Id
-
Vgs （最大值）
-
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
-
工作溫度
-
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
PG-HSOF-8-1
包裝 / 外殼
8-PowerSFN
額外資訊
標準套餐
2,000
其他名稱
448-IMT65R107M1HXUMA1TR
448-IMT65R107M1HXUMA1DKR
SP005716854
448-IMT65R107M1HXUMA1CT
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
Not Applicable
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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