BUZ73ALHXKSA1
製造商產品編號:

BUZ73ALHXKSA1

Product Overview

製造商:

Infineon Technologies

零件編號:

BUZ73ALHXKSA1-DG

描述:

MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
详细描述:
N-Channel 200 V 5.5A (Tc) 40W (Tc) Through Hole PG-TO220-3

庫存:

12850747
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BUZ73ALHXKSA1 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
Infineon Technologies
包裝
-
系列
SIPMOS®
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
200 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
5.5A (Tc)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 3.5A, 5V
Vgs(th) (最大值) @ Id
2V @ 1mA
Vgs (最大值)
±20V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
840 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
40W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
PG-TO220-3
包裝 / 外殼
TO-220-3

資料表及文件

HTML 資料表
資料表

額外資訊

標準套餐
500
其他名稱
INFINFBUZ73ALHXKSA1
BUZ73AL H
SP000683012
BUZ73ALH
BUZ73AL H-DG
2156-BUZ73ALHXKSA1-IT

環境及出口分類

濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
PHP20NQ20T,127
製造商
NXP Semiconductors
可用數量
8796
部件號碼
PHP20NQ20T,127-DG
單位價格
1.02
替代類型
MFR Recommended
DIGI 認證
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