製造商產品編號:
BSZ110N06NS3GATMA1
Product Overview
製造商:
Infineon Technologies
零件編號:
BSZ110N06NS3GATMA1-DG
描述:
MOSFET N-CH 60V 20A 8TSDSON
详细描述:
N-Channel 60 V 20A (Tc) 2.1W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
庫存:
16802 全新原裝現貨
12799645
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BSZ110N06NS3GATMA1 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Infineon Technologies
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
60 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
20A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 23µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
2700 pF @ 30 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
2.1W (Ta), 50W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
PG-TSDSON-8
包裝 / 外殼
8-PowerVDFN
基本產品編號
BSZ110
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
5,000
其他名稱
BSZ110N06NS3 GDKR-DG
SP000453676
BSZ110N06NS3 G
BSZ110N06NS3GATMA1TR
BSZ110N06NS3GINTR
2156-BSZ110N06NS3GATMA1
BSZ110N06NS3GINTR-DG
BSZ110N06NS3GATMA1DKR
BSZ110N06NS3G
BSZ110N06NS3GATMA1CT
BSZ110N06NS3GINDKR-DG
BSZ110N06NS3GINCT
BSZ110N06NS3GINCT-DG
BSZ110N06NS3 GDKR
INFINFBSZ110N06NS3GATMA1
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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