製造商產品編號:
BSZ088N03LSGATMA1
Product Overview
製造商:
Infineon Technologies
零件編號:
BSZ088N03LSGATMA1-DG
描述:
MOSFET N-CH 30V 12A/40A 8TSDSON
详细描述:
N-Channel 30 V 12A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 35W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
庫存:
7680 全新原裝現貨
12799011
請求報價
數量
最低限1
最低限1
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
我們會在24小時內回覆您
提交
BSZ088N03LSGATMA1 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Infineon Technologies
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
產品狀態
Not For New Designs
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
30 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
12A (Ta), 40A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.2V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
1700 pF @ 15 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
2.1W (Ta), 35W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
PG-TSDSON-8
包裝 / 外殼
8-PowerTDFN
基本產品編號
BSZ088
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
5,000
其他名稱
BSZ088N03LSGATMA1TR
SP000304138
BSZ088N03LSGINDKR
BSZ088N03LSGINCT
BSZ088N03LSGATMA1CT
BSZ088N03LSGINCT-DG
BSZ088N03LSGATMA1DKR
BSZ088N03LSGINDKR-DG
BSZ088N03LSG
BSZ088N03LSGXT
BSZ088N03LSGINTR
BSZ088N03LSGINTR-DG
BSZ088N03LS G
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
CSD17579Q3A
製造商
Texas Instruments
可用數量
41250
部件號碼
CSD17579Q3A-DG
單位價格
0.15
替代類型
MFR Recommended
部件編號
CSD17579Q3AT
製造商
Texas Instruments
可用數量
5016
部件號碼
CSD17579Q3AT-DG
單位價格
0.44
替代類型
MFR Recommended
部件編號
RQ3E120BNTB
製造商
Rohm Semiconductor
可用數量
2880
部件號碼
RQ3E120BNTB-DG
單位價格
0.16
替代類型
MFR Recommended
DIGI 認證
相關產品
BSS159NH6906XTSA1
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
BSC014NE2LSIATMA1
MOSFET N-CH 25V 33A/100A TDSON
BSO303SPNTMA1
MOSFET P-CH 30V 8.9A 8DSO